+7 951 763 46 63
+7 951 763 46 63
+7 951 763 46 63
ВТ-ПТ с 10-00 до 18-30
ВТ-ПТ с 10-00 до 18-30
СБ,ВС,ПН- выходной

г. Москва, Звенигородское шоссе, 4. (Большая Декабрьская улица, 3с1)

ТЦ"Электроника на Пресне" пав. A42 Красная линия. Метро Улица 1905 года.

Вернуться на сайт Сравнение товаров Корзина: 0 товаров , на сумму 0 руб.
Фото Удалить из сравнения Удалить из сравнения Удалить из сравнения Удалить из сравнения Удалить из сравнения Удалить из сравнения Удалить из сравнения Удалить из сравнения
Название Диск SSD AMD Radeon R5MS256G5 Диск SSD ADATA SLEG-900-512GCS Диск SSD Samsung MZ-V9P2T0B/AM Диск SSD Samsung MZ-V9P2T0CW Диск SSD AMD Radeon R3MP30240G8 Диск SSD AMD Radeon R3MP31024G8 Диск SSD Western Digital WDS100T4X0E Диск SSD AMD Radeon R3MP30128G8
Цена, руб. 4377в корзину 8265в корзину 24499в корзину 28062в корзину 4398в корзину 10919в корзину 13649в корзину 3300в корзину
Параметры
Гарантия: 36 месяцев

Интерфейс:
Тип интерфейса: SATA
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Форм-фактор: mSATA
Номинальный объем, ГБ: 256
Тип памяти: 3D NAND TLC
Контроллер: SMI 2259XT
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 543
Максимальная скорость записи, МБ/с: 467
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 79.947
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 71.708
Тип комплектации: RTL
Комплект поставки: Твердотельный накопитель
Гарантия: 60 месяцев

Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 512
Тип памяти: 3D NAND
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 6200
Максимальная скорость записи, МБ/с: 2300
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Размеры:
Ширина, мм: 80
Высота, мм: 22
Глубина, мм: 3.35
Особенности: Радиатор охлаждения. Вес 10,6 грамм
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.adata.com/en/consumer/category/ssds/solid-state-drives-legend-900/
Комплект поставки: Твердотельный накопитель, документация, упаковка
Гарантия: 12 месяцев

Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Серия продукции: 990 PRO
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 2000
Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC
Объем буфера, МБ: 2048
Тип буферной памяти: DDR4
Контроллер: Samsung
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7450
Максимальная скорость записи, МБ/с: 6900
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1400
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1550
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 1200
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт, max: 5.5
Размеры:
Ширина, мм: 22
Высота, мм: 2.3
Глубина, мм: 80
Особенности: шифрование AES 256-bit
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie-4-0-nvme-ssd-2tb-mz-v9p2t0b-am/
Комплект поставки: Твердотельный накопитель, документация
Гарантия: 12 месяцев

Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Серия продукции: 990 PRO
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 2000
Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC
Объем буфера, МБ: 1024
Тип буферной памяти: DDR4
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 7877
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7450
Максимальная скорость записи, МБ/с: 6900
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1400
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1550
Поддержка Background Garbage Collection: Да
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 1200
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт, max: 8.5
Размеры:
Ширина, мм: 80
Высота, мм: 22
Глубина, мм: 2.3
Особенности: Поддержка TRIM, S.M.A.R.T.
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/sg/memory-storage/nvme-ssd/990-pro-1tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9p1t0bw/
Комплект поставки: Накопитель, инструкция
Гарантия: 36 месяцев

Твердотельный накопитель SSD AMD Radeon R3 Series M2.2280 240GB
Гарантия: 36 месяцев

Твердотельный накопитель SSD AMD Radeon R3 Series M2.2280 1024GB
Гарантия: 36 месяцев

Твердотельный накопитель SSD Western Digital 1TB M.2 2280 Black SN7100 WDS100T4X0E PCI-E 4.0 x4
Гарантия: 12 месяцев

Твердотельный накопитель SSD AMD Radeon R3 Series M2.2280 128GB