Гарантия: 36 месяцев

Интерфейс:
Тип интерфейса: SATA
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Форм-фактор: mSATA
Номинальный объем, ГБ: 256
Тип памяти: 3D NAND TLC
Контроллер: SMI 2259XT
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 543
Максимальная скорость записи, МБ/с: 467
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 79.947
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 71.708
Тип комплектации: RTL
Комплект поставки: Твердотельный накопитель

Гарантия: 12 месяцев

Интерфейс:
Тип интерфейса: SATA
Версия SATA: SATA 6 Гб/с
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Серия продукции: 870 EVO
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: 2.5"
Номинальный объем, ГБ: 500
Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC
Объем буфера, МБ: 512
Тип буферной памяти, Мб: DDR4
Контроллер: Samsung MKX
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 560
Максимальная скорость записи, МБ/с: 530
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 98
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 88
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 300
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт, max: 2.2
Размеры:
Ширина, мм: 100
Высота, мм: 69.85
Глубина, мм: 6.8
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/ru/memory-storage/sata-ssd/870-evo-500gb-sata-3-2-5-ssd-mz-77e500bw/
Комплект поставки: Накопитель, инструкция

Гарантия: 60 месяцев

Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 512
Тип памяти: 3D NAND
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 6200
Максимальная скорость записи, МБ/с: 2300
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Размеры:
Ширина, мм: 80
Высота, мм: 22
Глубина, мм: 3.35
Особенности: Радиатор охлаждения. Вес 10,6 грамм
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.adata.com/en/consumer/category/ssds/solid-state-drives-legend-900/
Комплект поставки: Твердотельный накопитель, документация, упаковка

Гарантия: 12 месяцев

Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Серия продукции: 990 PRO
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 2000
Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC
Объем буфера, МБ: 2048
Тип буферной памяти: DDR4
Контроллер: Samsung
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7450
Максимальная скорость записи, МБ/с: 6900
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1400
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1550
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 1200
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт, max: 5.5
Размеры:
Ширина, мм: 22
Высота, мм: 2.3
Глубина, мм: 80
Особенности: шифрование AES 256-bit
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie-4-0-nvme-ssd-2tb-mz-v9p2t0b-am/
Комплект поставки: Твердотельный накопитель, документация

Гарантия: 12 месяцев

Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 4.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Серия продукции: 990 PRO
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 2000
Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC
Объем буфера, МБ: 1024
Тип буферной памяти: DDR4
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 7877
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7450
Максимальная скорость записи, МБ/с: 6900
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1400
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1550
Поддержка Background Garbage Collection: Да
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 1200
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт, max: 8.5
Размеры:
Ширина, мм: 80
Высота, мм: 22
Глубина, мм: 2.3
Особенности: Поддержка TRIM, S.M.A.R.T.
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/sg/memory-storage/nvme-ssd/990-pro-1tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9p1t0bw/
Комплект поставки: Накопитель, инструкция

Гарантия: 12 месяцев

Твердотельный накопитель SSD AMD Radeon 2.5" 120GB R3 SATA R3SL0120G2

Гарантия: 36 месяцев

Твердотельный накопитель SSD AMD Radeon R3 Series M2.2280 240GB

Гарантия: 36 месяцев

Твердотельный накопитель SSD AMD Radeon R3 Series M2.2280 1024GB

Гарантия: 36 месяцев

Твердотельный накопитель SSD Western Digital 1TB M.2 2280 Black SN7100 WDS100T4X0E PCI-E 4.0 x4

Гарантия: 12 месяцев

Твердотельный накопитель SSD AMD Radeon R3 Series M2.2280 128GB